कंपनी की खबर पीईआरसी सेल बैक पेसिवेशन परत के स्थानीय उद्घाटन उपचार में यूवीएलईडी का अनुप्रयोग

PERC सेल बैक पैसिवेशन परत के स्थानीय उद्घाटन उपचार में UVLED का अनुप्रयोग

  जैसे-जैसे फोटोवोल्टिक तकनीक विकसित हो रही है, PERC सेल, अपनी उच्च फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता के साथ, धीरे-धीरे बाजार में मुख्यधारा बन गए हैं। PERC सेल का एक प्रमुख लाभ उनकी बैक-साइड पैसिवेशन परत में निहित है, एक विशेष संरचना जो प्रभावी रूप से प्रकाश को परावर्तित करती है, जिससे कैप्चर किए गए प्रकाश की मात्रा बढ़ जाती है और इस प्रकार सेल की बिजली उत्पादन दक्षता में सुधार होता है। हालांकि, इलेक्ट्रोड के बीच विद्युत अंतर्संबंध प्राप्त करने के लिए, बैक-साइड पैसिवेशन परत में स्थानीयकृत उद्घाटन की आवश्यकता होती है। पारंपरिक तरीकों में अक्सर अपर्याप्त सटीकता, कम दक्षता और सेल को संभावित नुकसान जैसी समस्याएं होती हैं।

  PERC सेल के पीछे की पैसिवेशन परत मुख्य रूप से एल्यूमीनियम ऑक्साइड (Al₂O₃) और सिलिकॉन नाइट्राइड (SiN) जैसी सामग्रियों से बनी होती है। इन सामग्रियों में उत्कृष्ट प्रकाश परावर्तकता और पैसिवेशन गुण होते हैं, जो सेल की शॉर्ट-सर्किट करंट और ओपन-सर्किट वोल्टेज को बेहतर बनाने में मदद करते हैं। हालांकि, कोशिकाओं के बीच विद्युत अंतर्संबंध प्राप्त करने के लिए, पैसिवेशन परत में छोटे-छोटे छेद सटीक रूप से खोलने की आवश्यकता होती है ताकि इलेक्ट्रोड पैसिवेशन परत में प्रवेश कर सकें और सिलिकॉन सब्सट्रेट के संपर्क में आ सकें। जबकि लेजर नक़्क़ाशी और रासायनिक नक़्क़ाशी जैसे पारंपरिक तरीके इस लक्ष्य को प्राप्त कर सकते हैं, उनकी कुछ सीमाएँ हैं जिन्हें व्यावहारिक अनुप्रयोगों में दूर करना मुश्किल है।

  365-405nm की तरंग दैर्ध्य के साथ उच्च-ऊर्जा पराबैंगनी प्रकाश PERC सेल की बैकसाइड पैसिवेशन परत पर फोटोसेंसिटिव सामग्री के साथ अच्छी तरह से मेल खाता है, जो एक फोटोकेमिकल प्रतिक्रिया के माध्यम से पैसिवेशन परत को स्थानीय रूप से हटाने में सक्षम बनाता है। व्यवहार में, UVLED क्षेत्र प्रकाश स्रोत की तीव्रता, अवधि और स्पॉट आकार का सटीक नियंत्रण माइक्रोन-स्तर की एपर्चर सटीकता को सक्षम बनाता है, यह सुनिश्चित करता है कि इलेक्ट्रोड विंडो का आकार और स्थिति डिजाइन आवश्यकताओं को पूरा करे।

  UVLED सतह प्रकाश स्रोत संचालन के दौरान बेहद कम गर्मी उत्पन्न करते हैं। पारंपरिक थर्मल इलाज विधियों की तुलना में, इलाज प्रक्रिया कोशिकाओं पर वस्तुतः कोई थर्मल तनाव नहीं डालती है। इसका मतलब है कि बैक पैसिवेशन परत के स्थानीय उद्घाटन के दौरान, PERC सेल के सिलिकॉन सब्सट्रेट और अन्य कार्यात्मक परतों को थर्मल क्षति से बचाया जाता है, जिससे सेल की फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता और दीर्घकालिक स्थिरता बनी रहती है। यह फोटोवोल्टिक मॉड्यूल के समग्र प्रदर्शन और सेवा जीवन में सुधार के लिए बहुत महत्वपूर्ण है।

  UVLED सतह प्रकाश स्रोत तेजी से इलाज प्रदान करते हैं, जिससे पैसिवेशन परत में स्थानीयकृत उद्घाटन को थोड़े समय में पूरा किया जा सकता है। पारंपरिक लेजर और रासायनिक नक़्क़ाशी प्रक्रियाओं की तुलना में, UVLED सतह प्रकाश स्रोत तेज इलाज गति प्रदान करते हैं, जिससे उत्पादन चक्र काफी कम हो जाता है और उत्पादन लाइन चक्र समय और उत्पादकता बढ़ जाती है। यह फोटोवोल्टिक कंपनियों को समान उत्पादन समय सीमा के भीतर अधिक सेल का उत्पादन करने में सक्षम बनाता है, जिससे उच्च-दक्षता वाले फोटोवोल्टिक उत्पादों की बढ़ती बाजार मांग को पूरा करने में मदद मिलती है।

  फोटोवोल्टिक तकनीक की निरंतर प्रगति के साथ, PERC सेल भी विकसित हो रहे हैं, और TOPCon सेल जैसी नई पीढ़ी की उच्च-दक्षता वाली फोटोवोल्टिक सेल तकनीकें धीरे-धीरे उभर रही हैं। इन नई तकनीकों ने सेल संरचना और प्रक्रिया के संदर्भ में बैक पैसिवेशन परत के स्थानीय उद्घाटन पर उच्च आवश्यकताएं रखी हैं। UVLED सतह प्रकाश स्रोतों से उनके उत्कृष्ट तकनीकी प्रदर्शन और लचीली अनुकूलन क्षमताओं के साथ इन उभरते क्षेत्रों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते रहने की उम्मीद है।